型号:APTM100H80FT1G | 类别:FET | 制造商:Microsemi Power Products Group |
封装:SP1 | 描述:MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 |
详细参数
类别 | FET |
---|---|
描述 | MOSFET MODULE FULL BRIDGE SP1 |
系列 | - |
制造商 | Microsemi Power Products Group |
FET型 | 4 个 N 通道(H 桥) |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 1000V(1kV) |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 11A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 960 毫欧 @ 9A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 5V @ 1mA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 150nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 3876pF @ 25V |
功率_最大 | 208W |
安装类型 | 底座安装 |
封装/外壳 | SP1 |
供应商设备封装 | SP1 |
包装 | 散装 |
供应商
深圳市金嘉锐电子有限公司 | 朱先生086-0755-22929859 |
深圳市旺财半导体有限公司 | 李先生86-83209217 |
北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
中科航芯(深圳)科技有限公司 | 李18927479189 |
深圳市物量万芯科技有限公司 | 张小姐0755-82715436 |
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